內(nèi)存條常識介紹

內(nèi)存條對于電腦的重要就好像心臟對于我們?nèi)祟愐粯拥闹匾旅媸切【幏窒淼膬?nèi)存條常識介紹，一起來看一下吧。

　　看懂內(nèi)存條

我們平常所說的“內(nèi)存”大都是指“內(nèi)存條”。那么什么是“內(nèi)存條”呢?常見的“內(nèi)存條”又有哪些類型呢?

1.內(nèi)存條的誕生

當CPU在工作時，需要從硬盤等外部存儲器上讀取數(shù)據(jù)，但由于硬盤這個“倉庫”太大，加上離CPU也很“遠”，運輸“原料”數(shù)據(jù)的速度就比較慢，導致CPU的生產(chǎn)效率大打折扣!為了解決這個問題，人們便在CPU與外部存儲器之間，建了一個“小倉庫”—內(nèi)存。

內(nèi)存雖然容量不大，一般只有幾十MB到幾百MB，但中轉(zhuǎn)速度非常快，如此一來，當CPU需要數(shù)據(jù)時，事先可以將部分數(shù)據(jù)存放在內(nèi)存中，以解CPU的燃眉之急。由于內(nèi)存只是一個“中轉(zhuǎn)倉庫”，因此它并不能用來長時間存儲數(shù)據(jù)。

2.常見的內(nèi)存條

目前PC中所用的內(nèi)存主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等三種類型。

曾經(jīng)主流—SDRAM

SDRAM(Synchronous DRAM)即“同步動態(tài)隨機存儲器”。SDRAM內(nèi)存條的兩面都有金手指，是直接插在內(nèi)存條插槽中的，因此這種結(jié)構(gòu)也叫“雙列直插式”，英文名叫“DIMM”。目前絕大部分內(nèi)存條都采用這種“DIMM”結(jié)構(gòu)。

隨著處理器前端總線的不斷提高，SDRAM已經(jīng)無法滿足新型處理器的需要了，早已退出了主流市場。

今日主流—DDR SDRAM

DDR SDRAM(簡稱DDR)是采用了DDR(Double Data Rate SDRAM，雙倍數(shù)據(jù)速度)技術(shù)的SDRAM，與普通SDRAM相比，在同一時鐘周期內(nèi)，DDR SDRAM能傳輸兩次數(shù)據(jù)，而SDRAM只能傳輸一次數(shù)據(jù)。

從外形上看DDR內(nèi)存條與SDRAM相比差別并不大，它們具有同樣的長度與同樣的引腳距離。只不過DDR內(nèi)存條有184個引腳，金手指中也只有一個缺口，而SDRAM內(nèi)存條是168個引腳，并且有兩個缺口。

根據(jù)DDR內(nèi)存條的'工作頻率，它又分為DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多種類型：與SDRAM一樣，DDR也是與系統(tǒng)總線頻率 同步的，不過因為雙倍數(shù)據(jù)傳輸，因此工作在133MHz頻率下的DDR相當于266MHz的SDRAM，于是便用DDR266來表示。

小提示：工作頻率表示內(nèi)存所能穩(wěn)定運行的最大頻率，例如PC133標準的SDRAM的工作頻率為133MHz，而DDR266 DDR的工作頻率為266MHz。對于內(nèi)存而言，頻率越高，其帶寬越大。

除了用工作頻率來標示DDR內(nèi)存條之外，有時也用帶寬值來標示，例如DDR 266的內(nèi)存帶寬為2100MB/s，所以又用PC2100來標示它，于是DDR333就是PC2700，DDR400就是PC3200了。

小提示：內(nèi)存帶寬也叫“數(shù)據(jù)傳輸率”，是指單位時間內(nèi)通過內(nèi)存的數(shù)據(jù)量，通常以GB/s表示。我們用一個簡短的公式來說明內(nèi)存帶寬的計算方法：內(nèi)存帶寬=工作頻率×位寬/8×n(時鐘脈沖上下沿傳輸系數(shù)，DDR的系數(shù)為2)。

由于DDR內(nèi)存條價格低廉，性能出色，因此成為今日主流的內(nèi)存產(chǎn)品。

過時的貴族—RDRAM

RDRAM(存儲器總線式動態(tài)隨機存儲器)是Rambus公司開發(fā)的一種新型DRAM。RDRAM雖然位寬比SDRAM及DDR的64bit窄，但其時鐘頻率要高得多。

從外觀上來看，RDRAM內(nèi)存條與SDRAM、DDR SDRAM內(nèi)存條有點相似。

從技術(shù)上來看，RDRAM是一種比較先進的內(nèi)存，但由于價格高，在市場上普及不是很實際。如今的RDRAM已經(jīng)退出了普通臺式機市場。

3.內(nèi)存的封裝

目前內(nèi)存的封裝方式主要有TSOP、BGA、CSP等三種，封裝方式也影響著內(nèi)存條的性能優(yōu)劣。

TSOP封裝：TOSP(Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封裝)的一個典型特點就是在封裝芯片的周圍做出很多引腳。TSOP封裝操作方便，可靠性比較高，是目前的主流封裝方式。

BGA封裝：BGA叫做“球柵陣列封裝”，其最大的特點就是芯片的引腳數(shù)目增多了，組裝成品率提高了。采用BGA封裝可以使內(nèi)存在體積不變的情況下將內(nèi)存容量提高兩到三倍，與TSOP相比，它具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。

CSP封裝：CSP(Chip Scale Package，芯片級封裝)作為新一代封裝方式，其性能又有了很大的提高。CSP封裝不但體積小，同時也更薄，更能提高內(nèi)存芯片長時間運行的可靠性，芯片速度也隨之得到大幅度的提高。目前該封裝方式主要用于高頻DDR內(nèi)存。

　　內(nèi)存強檔

要進一步了解內(nèi)存，以下的內(nèi)容一定不能錯過。其中內(nèi)存的時鐘周期、存取時間和CAS延遲時間是衡量內(nèi)存性能比較直接的重要參數(shù)，它們都可以在主板BIOS中設置，這個問題將在以后介紹BIOS的時候詳細闡述。

1.時鐘周期(TCK)

TCK 是“Clock Cycle Time”的縮寫，即內(nèi)存時鐘周期。它代表了內(nèi)存可以運行的最大工作頻率，數(shù)字越小說明內(nèi)存所能運行的頻率就越高。時鐘周期與內(nèi)存的工作頻率是成倒數(shù)的， 即TCK=1/F。比如一塊標有“-10”字樣的內(nèi)存芯片，“-10”表示它的運行時鐘周期為10ns，即可以在100MHz的頻率下正常工作。

2.存取時間(TAC)

TAC(Access Time From CLK)表示“存取時間”。與時鐘周期不同，TAC僅僅代表訪問數(shù)據(jù)所需要的時間。如一塊標有“-7J”字樣的內(nèi)存芯片說明該內(nèi)存條的存取時間是7ns。 存取時間越短，則該內(nèi)存條的性能越好，比如說兩根內(nèi)存條都工作在133MHz下，其中一根的存取時間為6ns，另外一根是7ns，則前者的速度要好于后 者。

3.CAS延遲時間(CL)

CL(CAS Latency)是內(nèi)存性能的一個重要指標，它是內(nèi)存縱向地址脈沖的反應時間。當電腦需要向內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)時，在實際讀取之前一般都有一個“緩沖期”，而 “緩沖期”的時間長度，就是這個CL了。內(nèi)存的CL值越低越好，因此，縮短CAS的周期有助于加快內(nèi)存在同一頻率下的工作速度。

4.奇偶校驗(ECC)

內(nèi)存是一種數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)“倉庫”，而在頻繁的中轉(zhuǎn)過程中，一旦搞錯了數(shù)據(jù)怎么辦?而ECC就是一種數(shù)據(jù)檢驗機制。ECC不僅能夠判斷數(shù)據(jù)的正確性，還能糾正大多數(shù)錯誤。普通PC中一般不用這種內(nèi)存，它們一般應用在高端的服務器電腦中。

目前市場上主流的內(nèi)存有SDRAM和DDR SDRAM，內(nèi)存條品牌主要有金士頓、三星、宇瞻、富豪、現(xiàn)代等等。